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哈希108竞彩平台(www.hx198.vip)_东芝开发全球首款双栅极RC-IEGT 可降低开关损耗

admin2022-06-175

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【TechWeb】6月(yue)17日消息,东芝电子元件及存储〖chu〗装置株式会社(she)和东芝株“zhu”式‘shi’会社(Toshiba Corporation,统称 “东芝”)共同研“yan”发出全球首款《kuan》4.5-kV双栅极反{fan}向传导注入增强型栅极晶体管(RC-IEGT)。东芝证实,其导通关断〖duan〗时的总功耗(开“kai”关损耗)比传统单栅极结构降低24%。

功率器件是供电和管理电源“yuan”的组件,对于降低各种电子设备功耗和实现碳中和社会至关{guan}重要。在全球『qiu』脱碳和节能的〖de〗趋势下‘xia’,IEGT被广泛用于〖yu〗大功率逆变器和高压直流输电等需“xu”要大电流、高能效,以及更低功率损耗的应用。由于在IEGT开启(qi)时降低损耗(导通损‘sun’耗)增加开关损耗,因此很难降低IEGT功耗。

东〖dong〗芝开发了一种4.5kV双栅『zha』极RC-IEGT,其空穴控制栅极(CG)与主(zhu)栅极(MG)分离。与‘yu’单栅极器件中的反向恢复相比,这种《zhong》方法通过在关断和注入“ru”之前控制空穴《xue》提‘ti’取来降低损耗。在IEGT模「mo」式下,电流从基板的背面流向正面,CG关断之后MG关断,减少基板〖ban〗中累积的空穴,降低关断损耗。在二极管模式下,电流从基板正 zheng[面流向背面,MG和CG在反向恢【hui】复之前同时导通,减少了基板中“zhong”累积的电子,减少了反向恢复损耗。

新开发‘fa’的双栅极RC-IEGT结合栅极控制技术,关断和导通损耗分别比传统单栅极结构降低24%和18%,反向恢“hui”复损耗降低32%。因此,实际测量值 zhi[中总开关损耗降低24%,而导通损耗没有任何增加。

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